瓷介电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。下面来看看瓷介电容的内部问题及对可靠性的影响有哪些?

　　一，瓷介电容器内部的介质空洞问题

　　介质空洞是瓷介电容器内部常见的问题，它是瓷介电容器在制造过程中瓷介质的空洞所造成的。它对此介电容器的使用可靠性的主要影响是：

　　1、空洞的存在会导致瓷介电容器局部击穿电压降低而导致击穿失效或两个电极之间的绝缘电阻降低。

　　2、在电压较高时会使空洞处的空气电离化而产生漏电通道而漏电失效。

　　二，瓷介电容器的电极与电容主体接触不好

　　这种问题是瓷介电容在制造过程中电极与电容主体之间烧焊工艺不好所造成的。这种接触不好在应用过程中会造成电容器的开路和接触电阻增大失效。智旭JEC专业制造安规电容，压敏电阻，独石电容，薄膜电容，涤纶电容，高压电容，更多品质电容尽在JEC。

　　三，瓷介电容内部的结瘤问题

　　结瘤问题是瓷介电容制造过程中，金属化电极材料涂敷不均匀导致的金属化电极堆积变形所形成的。由于金属化电极的变形会导致瓷介介质变形，从而使电容器的介质变薄而使击穿电压下降。金属化电极的变形也可导致电容在加电时电场不均匀而击穿失效。

　　四，瓷介电容器内部的分层问题

　　瓷介电容器内部的分层问题也是瓷介电容器内部常见的问题，它是瓷介电容器在制造过程中瓷介质与金属化电极之间接触不紧密所造成的。它对介电容器的使用可靠性的主要影响是：

　　1、可导致电容的击穿电压下降，也可导致两个极之间的绝缘下降。

　　2、分层问题可导致瓷介电容器的抗机械能力进一步下降。