在电子元器件中的瓷介电容器，瓷介电容器又称陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜(一般为银)经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂及酣自主树脂包封,即成为瓷介电容器。让我们来看看什么是瓷介电容器?

　    　  具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合，这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

　      　瓷介电容同时又有很多种类：

　      　瓷介电容器：

　      　瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。

　      　I型(CC型)特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

　         II型(CT型)特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

　　       CC1型圆片高频瓷介电容

　      　适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v

　      　允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

　　      CT1型圆形瓷片低频电容：

　　      环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)

　　      CC01圆形瓷片电容：

　     　 环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)

　　      温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

　　      56—180P –750(+-250)PPM

　　      180—390P –1300(+-250)PPM

　     　  430—820P –3300(+-500)PPM

      　    CT01圆形瓷片电容：

　      　 环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

　       　允差：+80 -20%容量：1000-47000p

　      　 工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容

　       　可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

　     　  允差：k容量：1-47p工作电压：500v

　       　CC11,CT11园片无引线瓷片电容

　　       该电容特为高频头设计，频率特性好。

　     　  CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm

　　       CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm

　　       CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

　       　环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M

　       　独石瓷介电容器：

　       　CC4D独石瓷介电容器

　　      环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

　　      CT4D独石瓷介电容器

　　      环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

　       　CC2,CT2管形瓷介电容器

　      　 与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

　　       CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

 

　　       使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

　　       CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

　　        CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

　        　CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

　        　CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

　        　该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

　         　CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015

　         　CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035

　         　CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

　　          CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG